一 | 8 月 25 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。援引博文介绍，该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”（ion implantation）工艺打造，相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。1月11日，电话竞技场今天报道说，世界上第一款带有五个后置摄像头的智能手机很可能即将面世。
二 | 研究团队选择“结型场效应晶体管”（JFET）结构，并将栅极置于沟道下方，形成底栅（bottom-gate）布局。离子注入过程中，部分掺杂原子会沿晶体通道深入目标区域之外，形成“沟道效应”尾部。
三 | 传统顶栅结构难以补偿这一影响，导致设计阈值电压与实测值相差超过 2 V。底栅结构可捕获偏离预定深度的掺杂原子，让该偏差在 400℃ 下缩小至 0.1 V 以内。报告还提到，“诺基亚9的传言已经流传近两年了，真的。该科研团队为了减少高温漏电，团队还加入“双阱”（double-well）隔离结构。”报告引用了一系列之前曝光的线索，如基于广告的渲染、实时图片，甚至是促销视频，来支持即将到来的手机传言。此外，该报告还带来了来自诺基亚“分销渠道”可靠来源的新消息。该结构通过 pn 结隔离单个器件，避免依赖下方半绝缘碳化硅衬底。消息人士对91Mobile表示，诺基亚的首款超高端安卓系统预计将于1月底正式上市，这与早先的价格泄漏同时发生。报告称，尽管现在还为时过早，但诺基亚9 PureView本月发布的可能性肯定在改善。参考广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，包含外链的文章均包含本声明。新的信息表明，迪拜可能是全球推出手机的一个地点，该手机随后可能于2月在印度推出。该报告并未披露该设备在其他重要市场的销售信息，但提到诺基亚6.2和8.1 Plus也将于2月在印度推出。目前，我们还不能证实这一消息。新闻中有不确定性，甚至谣言。
四 | 事件将继续跟进，最新进展将及时报告。
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Published on:04:10:51
